晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法专利类型：发明专利

发明人：陈剑辉,赵文超,王建明,陈迎乐,王子谦,沈燕龙,李高

非,胡志岩,熊景峰

申请号：CN201210017809.6申请日：20120119公开号：CN102593241A公开日：20120718

摘要：本发明提供了一种晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，用于去除经扩散工序后在硅片边缘形成的扩散层，包括步骤：生成耐碱薄膜层于硅片的上表面和下表面；使用第一预设浓度的碱溶液以第一预设温度清洗具有耐碱薄膜层的硅片第一预设时间；将碱洗后的硅片置于第二预设浓度的盐酸中以第二预设温度酸洗第二预设时间；使用第三预设温度的去离子水清洗酸洗后的硅片第三预设时间；对清洗后的硅片进行去离子水提拉清洗，并烘干。硅片上下表面均形成一层耐碱薄膜层，对硅片进行碱溶液清洗，碱溶液对硅片的边缘未覆盖耐碱薄膜层的部分进行碱溶液清洗，去除了边缘部分形成的扩散层，而不会对硅片的表面部分造成损伤。本发明还提供了一种晶硅太阳能电池。

申请人：英利能源(中国)有限公司

地址：071051 河北省保定市朝阳北大街3399号

国籍：CN

代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：逯长明

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