专利名称：一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法专利类型：发明专利
发明人：魏星,王湘,李显元,张苗,王曦,林成鲁申请号：CN201010211448.X申请日：20100625公开号：CN101901754A公开日：20101201
摘要：本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。
申请人：上海新傲科技股份有限公司,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：201821 上海市嘉定区普惠路200号
国籍：CN
代理机构：上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人：翟羽
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