改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构[发明专利]

来源：尚车旅游网

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的

结构

专利类型：发明专利

发明人：郑春生,徐强,张文广,陈玉文申请号：CN201110150725.5申请日：20110607公开号：CN102420126A公开日：20120418

摘要：本发明一般涉及半导体集成电路制造领域，更确切的说，本发明涉及改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构。本发明公开了一种改善双应力氮化硅薄膜集成的全湿法工艺及其中的结构，通过采用氮化物层-氧化物层-氮化物层-氧化物层（SiN-oxide-SiN-oxide）结构及在DSL工艺整合中采用湿法刻蚀工艺进行选择性刻蚀，不仅不会产生等离子损伤，还能充分利用氢氟酸（HF）对氧化物层和磷酸（HPO）对氮化物层的湿法刻蚀选择性，以降低交叠区域中的氮化物的高度，而干法刻蚀工艺打开第一、二氧化物层（oxide）时，也不会对氧化物层及其下层氮化物层（SiN）的过刻蚀，从而降低了最终电路开路的可能性。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

国籍：CN

代理机构：上海新天专利代理有限公司

代理人：王敏杰

更多信息请下载全文后查看

因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容

查看全文