一种栅压控制晶闸管器件[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种栅压控制晶闸管器件专利类型：发明专利

发明人：任敏,林育赐,何文静,苏志恒,李泽宏,张波申请号：CN201710706917.7申请日：20170817公开号：CN107331704A公开日：20171107

摘要：本发明提供了一种栅压控制晶闸管器件，属于功率器件技术领域。本发明自下而上包括依次层叠设置的金属阳极、第一导电类型半导体掺杂衬底，第二导电类型半导体掺杂外延层和金属阴极；所述第二导电类型半导体掺杂外延层顶层中部设置有栅极结构，栅极结构两侧设置有第一导电类型半导体掺杂阱区，所述第一导电类型半导体掺杂阱区表面下方具有第二导电类型半导体掺杂阱区，所述第二导电类型半导体掺杂阱区表面下方具有第一导电类型半导体重掺杂区；所述第一导电类型半导体掺杂阱区的掺杂浓度从靠近多晶硅栅电极到远离多晶硅栅电极的方向逐渐减小。本发明提升了栅压控制晶闸管的抗浪涌能力。

申请人：电子科技大学

地址：611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

国籍：CN

代理机构：成都点睛专利代理事务所(普通合伙)

代理人：葛启函

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