专利名称：形成导体结构的方法及其应用专利类型：发明专利
发明人：T·玛蒂拉,A·阿拉斯塔洛,M·艾伦,H·瑟帕申请号：CN200810109975.2申请日：20080606公开号：CN101325177A公开日：20081217
摘要：本公开揭示一种在衬底上形成导电结构的方法。根据该方法，含导电或半导电材料的纳米微粒以稠密形式被涂覆在衬底上，并且将电压施加于纳米微粒上，以至少局部地增加构造的导电率。根据本发明，电压足够高以通过类似穿透的方式造成纳米微粒的熔解。借助本发明，可形成小线宽结构而不需要高精度的平版印刷。
申请人：芬兰国立技术研究中心
地址：芬兰埃斯堡市
国籍：FI
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：刘佳
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