氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管专利类型：发明专利

发明人：刘美华,孙辉,林信南,陈建国申请号：CN201610099816.3申请日：20160223公开号：CN107104176A公开日：20170829

摘要：本发明提供一种氮化镓二极管的制作方法与氮化镓二极管，方法包括：在氮化镓基底上形成介质层；在所述介质层中形成阴极金属，所述阴极金属接触所述氮化镓基底；在所述介质层中形成阳极金属，并在所述阳极金属和所述阴极金属之间的介质层中形成金属场板，所述阳极金属和所述金属场板均接触所述氮化镓基底，在所述介质层上形成未与所述金属场板连接的金属互连层，且所述金属互连层分别与所述阴极金属和所述阳极金属连接。根据本发明，能够提高氮化镓二极管的耐压性。

申请人：北京大学,北大方正集团有限公司,深圳方正微电子有限公司

地址：100871 北京市海淀区颐和园路5号

国籍：CN

代理机构：北京同立钧成知识产权代理有限公司

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