专利名称：硅片厚度测量方法专利类型：发明专利发明人：简志宏,王志高,史萌申请号：CN200910194948.4申请日：20090901公开号：CN102003952A公开日：20110406
摘要：本发明公开了一种硅片厚度测量方法，预先确定硅片厚度和重量之间的函数关系式；当需要测量任一硅片的厚度时，该方法包括：测量该硅片的重量；利用确定出的函数关系式以及测量出的硅片重量，计算得到硅片的厚度。应用本发明所述方法，不但能够节省能源，而且安全可靠，并能保证测量工作始终正常进行。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京德琦知识产权代理有限公司
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