碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110000519.6 （22）申请日 2011.01.04

（71）申请人 株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院

地址 412001 湖南省株洲市石峰区时代路

（10）申请公布号 CN102130021A

（43）申请公布日 2011.07.20

（72）发明人 丁荣军;罗海辉;雷云;李继鲁;吴煜东;刘国友;彭勇殿;张明;温家良;金锐 （74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 逯长明

（51）Int.CI

H01L21/50; H01L21/58; H01L21/60; H01L23/488; H01L23/29; H01L25/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（）发明名称

碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块

（57）摘要

本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方

法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔

离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2011-07-20 公开

2011-08-31 实质审查的生效 2012-10-24

授权

法律状态

公开

实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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