专利名称：掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法专利类型：发明专利发明人：李伟峰
申请号：CN202010161896.7申请日：20200310公开号：CN111240149A公开日：20200605
摘要：一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，掩膜版包括：基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。本发明能够在保证主图形正常转移的同时降低所述掩膜版的透光率。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：吴敏
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