一种石墨烯导电薄膜的制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种石墨烯导电薄膜的制备方法专利类型：发明专利发明人：何娟

申请号：CN201610465005.0申请日：20160624公开号：CN106158145A公开日：20161123

摘要：本发明公开了一种石墨烯导电薄膜的制备方法，属于导电薄膜生产技术领域。所述方法包括以下步骤A．沉积镍薄膜层：在玻璃基底上沉积镍薄膜层；B．沉积石墨烯薄膜层：采用CVD法沉积石墨烯薄膜层，所述石墨烯薄膜层的厚度为50～90μm；C．清洗、干燥：将步骤B得到的半成品进行降温处理，待温度降至室温后，将石墨烯薄膜层用稀进行清洗，去除表面镍薄膜层，然后进行干燥即可。本发明具有生产成本低，效率高的优点。

申请人：成都天航智虹企业管理咨询有限公司

地址：610000 四川省成都市高新区府城大道西段399号7栋1单元14层5号

国籍：CN

代理机构：成都天嘉专利事务所(普通合伙)

代理人：苏丹

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