专利名称：氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法专利类型：发明专利
发明人：清见和正,堀江秀善,石渡俊男,藤村勇夫申请号：CN200680005598.7申请日：20060208公开号：CN101138073A公开日：20080305
摘要：本发明提供一种氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法，该氮化物半导体材料在半导体或电介质衬底上具有第一氮化物半导体层组，所述第一氮化物半导体层组的表面的RMS为5nm以下，X射线半幅值的变动在±30％以内，表面的光反射率在15％以上，其变动在±10％以下，而且，所述第一氮化物半导体层组的厚度为25μm以上。该氮化物半导体材料具有优良的均匀性、稳定性，制造成本低，适用于作为氮化物半导体类设备用衬底。
申请人：三菱化学株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：陶凤波
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