专利名称：氮化镓结晶的制造方法专利类型：发明专利
发明人：油利正昭,上田哲三,马场孝明申请号：CN98106378.0申请日：19980409公开号：CN1203285A公开日：19981230
摘要：本发明在于提供一种具有优异结晶性能的氮化镓厚膜结晶。本发明系在硅衬底1上形成非晶态二氧化硅薄膜2,然后,在该二氧化硅薄膜2上,形成单晶硅薄膜3,再在单晶硅薄膜3上形成氮化镓4。
申请人：松下电子工业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：刘立平
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