专利名称：氮化镓晶体的制造方法专利类型：发明专利发明人：王浩,范广涵申请号：CN03113769.5申请日：20030218公开号：CN1434482A公开日：20030806
摘要：本发明涉及半导体器件材料的制造方法，更准确地是氮化镓晶体的制造方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延生长氮化镓或氮化铝；(2)在氮化镓表面热沉积硅、碳化硅、氮化硅、或氧化硅的结晶颗粒；(3)继续外延生长氮化镓如再生长不掺杂的或掺杂的氮化镓薄膜D或LED、LD、HEMT等光电子、电子器件结构；所述衬底可以是蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氧化锌、氧化镁、LiAlO、或LiGaO；本发明可以有效降低位错，解决衬底与外延层失配问题。
申请人：华南师范大学
地址：510630 广东省广州市天河区石牌
国籍：CN
代理机构：广州粤高专利代理有限公司
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