一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种改进的磷化铟晶体合成和生长工艺及装置专利类型：发明专利发明人：高文飞

申请号：CN202011278512.6申请日：20201116公开号：CN112410883A公开日：20210226

摘要：本发明涉及磷化铟晶备技术领域，具体涉及一种磷化铟晶体合成和生长工艺及装置。本发明在熔体坩埚的外部设置的电磁约束感应器，约束熔体横向截面尺寸和形状，使熔体的侧面与坩埚的内壁脱离接触或部分脱离接触。在坩埚的上部设置的电磁加热感应器，加热磷化铟晶体，控制晶体中的温度梯度。由于熔体与石英坩埚壁间形成间隔，减少了熔体与坩埚的接触面积，有利于降低坩埚中杂质对磷化铟晶体的污染；同时由于增加了熔体与磷蒸汽的接触面积，使得磷原子可以更有效地向熔体内部扩散，有利于提高晶体合成和生长速度，而控制熔体横向截面尺寸及形状和晶体中的温度梯度，有利于提高晶体生长的稳定性。

申请人：宇泽半导体(云南)有限公司

地址：675000 云南省楚雄彝族自治州楚雄市鹿城镇阳光大道旁

国籍：CN

代理机构：南京经纬专利商标代理有限公司

代理人：王美章

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