专利名称：氮化镓芯片及其制备方法专利类型：发明专利发明人：裴风丽
申请号：CN201610301799.7申请日：20160509公开号：CN106299071A公开日：20170104
摘要：本发明提供了一种氮化镓芯片及其制备方法，所述氮化镓芯片包括氮化物半导体层、散热衬底、保护层，所述氮化物半导体层位于所述散热衬底和所述保护层之间，所述氮化物半导体层与所述保护层之间设置有欧姆电极和肖特基电极。本发明提供的氮化镓芯片及其制备方法通过将高质量的氮化物半导体层转移到热导率较高的散热衬底上，使得氮化镓芯片内部的热量通过散热衬底快速散发出去，保证了氮化镓芯片性能的正常发挥，提高了氮化镓芯片的稳定性和可靠性，以此解决氮化镓芯片自热的问题。同时在转移的过程中，将缺陷与位错较高的部位去除掉，进一步提高了氮化镓芯片的性能，提高了氮化镓芯片的寿命和可靠性。
申请人：苏州能讯高能半导体有限公司
地址：215300 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号
国籍：CN
代理机构：北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：张玲
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容