专利名称：氮化物半导体晶体及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：竹内哲也,铃木智行,笹岛浩希,岩谷素顕,赤崎勇申请号：CN201480012830.4申请日：20140304公开号：CN105027262A公开日：20151104
摘要：本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。
申请人：学校法人名城大学
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：北京金信知识产权代理有限公司
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