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新型基于GaN的LED器件结构

来源：尚车旅游网

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201711382263.3 （22）申请日 2017.12.20

（71）申请人西安智盛锐芯半导体科技有限公司

地址 710075 陕西省西安市高新区高新路36号A1号楼二层A19室

（10）申请公布号 CN108054257A

（43）申请公布日 2018.05.18

（72）发明人张捷

（74）专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人黄晶晶

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

新型基于GaN的LED器件结构

（57）摘要

本发明涉及一种新型基于GaN的LED器件

结构。该器件结构包括：导电衬底410；第二反光层409，设置于所述导电衬底410上；第一反光层408，设置于所述第二反光层409上；金属电极层407，设置于第一反光层408上；第一GaN蓝光外延层10A、GaN黄光外延层20、GaN绿光外延层30、GaN红光外延层40以及第二GaN蓝光外延层10B，依次横向排列且设置于所述金属电极层407上；阳极电极56，设置于所述导电衬底

410下。本发明通过将多种色彩的材料设置在同一LED器件中，产生多种颜色的光，可以解决现有技术中LED封装器件涂覆荧光粉导致LED器件发光效率低、集成度低的缺陷。

法律状态

法律状态公告日

2018-05-18

法律状态信息

公开

法律状态

公开

权利要求说明书

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说明书

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