专利名称：一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法专利类型：发明专利
发明人：刘新宇,赵妙,许恒宇,裴紫微,金智,李俊峰,万彩萍申请号：CN201510751699.X申请日：20151106公开号：CN105355549A公开日：20160224
摘要：本发明公开了一种SiC基MOSFET器件P型欧姆接触的制备方法，包括：在SiC外延片上依据TLM模版制备欧姆接触传输线测试图形；对TLM测试图形进行测试分析；给出TLM施加应力前后器件欧姆接触电阻率和薄层电阻的变化；对应力后的样品进行SEM测试分析；结合器件欧姆接触在应力前后的参数变化以及SEM测试分析结果，得到SiC基MOSFET器件的欧姆接触。本发明实施例在SiC外延材料上采用Ti/Al合金制作TLM测试图形，获得P型器件欧姆接触的接触电阻率和方块电阻，最终实现对SiC基MOSFET器件欧姆接触的制备，成本低廉，工艺简单，重复性好，可靠性高。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人：张瑾
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