一种功率半导体MOS器件及其制备方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种功率半导体MOS器件及其制备方法专利类型：发明专利发明人：单建安,冯浩,刘永申请号：CN2018115618.8申请日：20181229公开号：CN109728097A公开日：20190507

摘要：一种功率半导体MOS器件及其制备方法，为提供一种维持足够高的阈值电压的基础上，降低器件的沟道电阻和导通损耗的半导体器件，本发明提供一种如下的技术方案：在P型体区内设有N型沟道埋层，并将栅介质层分为与P型体区和漂移区接触的可发生电子隧穿效应的第一栅介质层、位于第一栅介质层上的用于捕获从第一栅介质层隧穿而来的电子并使其成为固定负电荷的第二栅介质层以及位于第二栅介质层上的用于隔离第二栅介质层与栅电极的第三栅介质层，本发明所提供的碳化硅功率MOSFET相对于传统的碳化硅功率MOSFET而言，可以在维持足够高的阈值电压的基础上，大大降低电子沟道的导通电阻，继而实现更低的MOSFET导通损耗。

申请人：中山汉臣电子科技有限公司

地址：528437 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1606号房

国籍：CN

代理机构：深圳市千纳专利代理有限公司

代理人：袁燕清

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